Samsung 850 EVO mSATA 1000 Go SATA

1TB mSATA, SATA 6Gb/s, 32 couches 3D V-NAND, 540 MB/s Lecture, 520 MB/s Ecriture
Référence : 5E1T0BW
Marque : SAMSUNG
Référence fabricant : MZ-M5E1T0BW
Code EAN : 8806086585699
Code UNSPSC : 43201830
DESCRIPTION DÉTAILS TECHNIQUES DOCUMENTS

Description du produit

Qu'est ce que la 3D V-NAND et en quoi diffère t-elle des technologies existantes ?

L'architecture unique et innovante de la mémoire flash 3D V-NAND de Samsung est une avancée technologique permettant de dépassser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. La 3D V-NAND empile 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe. Par conséquent, cette technologie permet d'augmenter la densité ainsi que les performances, le tout avec une surface réduite.

Optimisez votre expérience informatique à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans précédent.

Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d'écriture et par conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au quotidien. Par rapport au 840 EVO, le 850 EVO enregistre une expérience utilisateur globale supérieure d'environ 13%*, notamment grâce à ses vitesses d'écriture aléatoires désormais 2 fois plsu rapides**. Le 850 EVO offre les meilleures performances dans sa catégorie avec des vitesses de lecture et d'écriture s'élevant respectivement à 540 Mo/s et 520 Mo/s. Profitez de performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d'attente en cas d'utilisation d'un PC client. *PCMark 7 (250 Go): 6700 (840 EVO) < 7600 (850 EVO) ** Écriture aléatoire (profondeur de file d'attente: 32, 120 Go): 36 000 IOPS (840 EVO) < 88 000 IOPS (850 EVO)

Augmentez votre mémoire de stockage avec le RAPID Mode

Le Samsung 850 EVO mSATA est une machine trés rapide. Avec le dernier logiciel Samsung Magician, vous pouvez activer le RAPID Mode pour exploiter la mémoire du PC (DRAM) inutilisée et utiliser jusqu'à 25% de ma capacité totale de la DRAM comme mémoire cache. Avec cette augmentation considérable de la mémoire, les vitesses de traitement des données et les files d'attente aléatoires peuvent être 2 fois plus rapides* en RAPID Mode.

Endurance et fiabilité renforcées par la technologie 3D V-NAND

Avec 2 fois plus de Total Bytes Written (TBW) comparé à la génération précédente du 840 EVO*, le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité assurées ainsi qu'une garantie de 5 ans, la plus élevée dans ce secteur. Grâce à l'amélioration jusqu'à 30% de ses performances, le 850 EVO offre des performances continues**, ce qui en fait l'une des solutions de stockage les plus fiables. ** Performances soutenues (250 Go): 3300 IOPS (840 EVO) < 6500 IOPS (850 EVO), performances mesurées après un test d'« Écriture aléatoire » de 12 heures

Faible consommation d'énergie renforcée par la 3D V-NAND

Le 840 EVO a introduit la fonction Device Sleep pour une consommation de 2 mW. A présent, le 850 EVO introduit la technologie 3D V-NAND de pointe (consommant 50% d'énergie en moins que la Planar NAND 2D) qui vous permet de réduire de 25% votre consommation d'énergie durant les opéartions d'écriture*. * Puissance (250 Go) : 3.2 watts (840 EVO) > 2.4 watts (850 EVO)

Facteur de forme flexible pour une utilisation sur différents types d'appareils

La polyvalence du 850 EVO mSATA vous permet de couvrir tout type de connecteur ou de taille de port pris en charge par votre appareil, ce qui le rend parfait pour les ordinateurs et ordinateurs portables d'aujourd'hui, et en particulier, sur les tablettes PC ultra-fines à espace restreint.

Protégez vous données avec des méthodes de cryptage avancées
Le 850 EVO est renforcé avec le dernier moteur de chiffrement matériel intégral du disque. Les cryptages AES 256 bits et TGC Opal2.0 protègent vos données dans dégrader les performances. Le 850 EVO est également compatible avec le protocole Microsoft eDrive IEEE-1667 pour une protection permanente de vos données.

Protection contre toute surchauffe grâce à la fonction Dynamic Thermal Guard
La fonction Dynamic Thermal Guard du 850 EVO surveille et maintient en permanence et automatiquement la température idéale du disque afin qu'il fonctionne dans des conditions optimales.

Gestion simple et rapide des migrations
Grâce à One-Stop Install Navigator, les logiciels Samsung Data Migration et Magician sont installés simultanément pour plus de facilité. Cela permet d'assurer l'optimisation des paramètres de votre SSD pour un transfert efficace de vos données.

Profitez d'une solution d'intégration en interne comprenant des composants haut de gamme
En tant que chef de file dans les SSD, Samsung est le mieux placé pour concevoir, développer et fabriquer exclusivement en interne. Cela entraîne des solutions entièrement intégrées et pleinement optimisées pour des performances accrues. Cela élimine également le risque d'erreurs de compatiilité des composants.

Caractéristiques du produit

  • Samsung 850 EVO.
  • Capacité du Solid State Drive (SSD): 1000 Go, Facteur de forme SSD: mSATA, Vitesse de lecture: 540 Mo/s, Vitesse d'écriture: 520 Mo/s, Taux de transfert des données: 6 Gbit/s
DESCRIPTION DÉTAILS TECHNIQUES DOCUMENTS

Détails techniques

Poids et dimensions
Poids
9,07 g
Hauteur
50,8 mm
Largeur
30 mm
Profondeur
38,1 mm
Puissance
Tension de fonctionnement
5 V
Conditions environnementales
Humidité relative de fonctionnement (H-H)
5 - 95%
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Température d'opération
0 - 70 °C
Taux d'humidité relative (stockage)
5 - 95%
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Autres caractéristiques
Interne
Oui
Couleur du produit
Vert
Design
représentation / réalisation
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Vitesse de lecture
540 Mo/s
Vitesse d'écriture
520 Mo/s
Écriture séquentielle
Oui
Interface du Solid State Drive (SSD)
mini-SATA
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 Go
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Écriture aléatoire (4KB)
88000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
97000 IOPS
Classe TBW
150
Caractéristiques
Interface
SATA
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Taux de transfert des données
6 Gbit/s
Vitesse de lecture
540 Mo/s
Vitesse d'écriture
520 Mo/s
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 Go
Support S.M.A.R.T.
Oui
Support TRIM
Oui
Écriture aléatoire (4KB)
88000 IOPS
Lecture aléatoire (4KB)
97000 IOPS
Classe TBW
150
Facteur de forme SSD
mSATA
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